球抢先度亘核芯单浦源填补国内空白，全模808nm半导体泵-顿斗科讯网

度亘核芯根据自主开发的全球抢先高功率、高功率、度亘单模高牢靠性的核芯单模808nm 。半导体。半导激光芯片，体泵填补推出世界抢先的浦源高性能蝶形光纤耦合模块。，国内率先在国内完成产业化打破，空白填补了国内空白。全球抢先

使用布景。度亘单模

单模高性能808nm泵浦光，核芯为紧凑型光纤激光器供给牢靠中心动力。半导作为掺钕增益介质（如Nd:YAG、体泵填补Nd:YVO₄）的浦源首选泵浦波长，808nm单模泵浦源在飞秒激光振荡器、国内双光子激起显微成像等前沿研讨范畴使用广泛。别的，因其极佳的频率稳定性和低噪声特性，广泛使用于深空勘探中的干涉仪、超。高精度。激光测距等很多顶级科学研讨范畴。

单模808nm泵浦源凭仗其杰出的光束质量与体系牢靠性保证，已成为高端激光体系的中心组件。度亘核芯在单模激光芯片与模块范畴深耕细研，推出系列高功率、高牢靠的单模产品，为前沿科学研讨、光。通讯。、工业加工及。智能。感知体系等供给中心泵浦动力。

立异成果与打破。

单模高功率808nm半导体激光芯片和光纤耦合模块。

•。	高功率输出：经过精细化的外延结构规划与低应力工艺制备，完成了芯片输出功率最高打破。1200mW。，耦合。模块输出功率最高超越。600mW 。；
•。	高功率：芯片最高电光转化功率到达。55%。，在700mW作业条件下，电光转化功率仍然保持在。53%。；模块400mW作业条件下，电光转化功率。超越34%。；
•。	高牢靠性：针对808nm单模激光芯片功率阑珊这一痛点问题，选用打破性的芯片与器材结构规划以及工艺优化，大幅改进了功率阑珊现象，在700mW的作业条件下，保证了芯片的牢靠作业。

图1 单模808nm高功率芯片的L-I-V-E特性曲线。

图2 光纤耦合模块特性曲线。

图3 不同。电流。对应光谱图。

产品规格。

关于度亘。

度亘核芯以高端激光芯片的规划与制作为中心竞争力，聚集。光电。产业链上游，具有掩盖化合物半导体激光器芯片规划、外延成长、器材工艺、。芯片封装。、测验表征、牢靠性验证以及功能模块等全套工程技术才能和量产制作才能，专心于高性能、高功率、高牢靠性光电芯片及器材的规划、研制和制作，产品广泛使用于工业加工、智能感知、光通讯、医疗健康和科学研讨等范畴，努力打造具有世界职业位置的产品研制。中心。和出产制作商。